PRODUTOS Microscopia eletrònica
Microscópios TOF-SIMS
A espectrometria de massa de iões secundários por tempo de voo (TOF-SIMS) é uma técnica analítica altamente sensível que fornece a caracterização química das superfícies dos materiais. Isto é conseguido utilizando um feixe de iões focado a energias típicas de 10-30 keV, que incidem na superfície da amostra e, como resultado, são emitidos iões secundários (SI) a partir das camadas atómicas superiores da amostra.
O volume de interação gerado pelos iões é da ordem de alguns nanómetros, que é muito menor do que o gerado por um feixe de eletrões, normalmente da ordem de alguns mícrons. Como resultado, o TOF-SIMS pode obter uma melhor resolução lateral e de profundidade em comparação com outras técnicas SEM analíticas químicas comuns, como o EDX.)
O TOF-SIMS fornece a caracterização de superfícies de materiais através de espectros de massa, perfis de profundidade e mapas elementares/moleculares. Os espectros de massa permitem a identificação e quantificação dos elementos e das espécies moleculares presentes nas camadas superficiais da amostra, bem como a distinção de isótopos e espécies com massa nominal semelhante.
O perfil de profundidade, uma capacidade vantajosa desta técnica, é utilizado para detetar vestígios de dopantes e outras impurezas em diferentes gamas de profundidade. Elementos leves como o Be, B e Li podem ser detectados em concentrações muito baixas de alguns ppm.
Além disso, também é possível a caracterização química 3D com alta resolução de massa e alta resolução de imagem espacial. TOF-SIMS é a técnica de caracterização ideal para os campos da ciência e tecnologia onde a composição de superfícies, filmes finos ou camadas desempenha um papel essencial no desempenho.
Em particular, o TOF-SIMS tem-se revelado uma técnica analítica poderosa para a indústria de fabrico de baterias. Embora as técnicas baseadas na análise de raios X não detetem Li, a capacidade de deteção de elementos leves oferecida pelo TOF-SIMS torna-o uma técnica ideal para a realização de investigação em baterias baseadas em iões de lítio.
A solução TESCAN para espectrometria de massa de iões secundários baseia-se na integração de um analisador ortogonal TOF-SIMS com sistemas TESCAN FIB-SEM. Tal combinação permite a criação de perfis de profundidade FIB in situ com alta resolução de massa e imagens de alta resolução espacial. Este desempenho superior fornece ao utilizador caracterização química 3D e informação molecular de materiais sólidos.
Soluções TESCAN TOF-SIMS
TESCAN AMBER 2
FIB-SEM nanoanalítico versátil para expandir as suas capacidades de investigação de materiais.
TESCAN SOLARIS
Bancada de nanofabricação avançada para o seu laboratório de investigação.